ໄປເຊຍກັນເລເຊີແລະອົງປະກອບຂອງມັນແມ່ນວັດສະດຸພື້ນຖານຕົ້ນຕໍສໍາລັບອຸດສາຫະກໍາ optoelectronics. ມັນຍັງເປັນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນຂອງເລເຊີຂອງລັດແຂງເພື່ອສ້າງແສງເລເຊີ. ໃນທັດສະນະຂອງຂໍ້ໄດ້ປຽບຂອງຄວາມເປັນເອກະພາບ optical ທີ່ດີ, ຄຸນສົມບັດກົນຈັກທີ່ດີ, ສະຖຽນລະພາບທາງກາຍະພາບແລະສານເຄມີສູງ, ແລະການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີ, ໄປເຊຍກັນເລເຊີຍັງເປັນວັດສະດຸທີ່ນິຍົມສໍາລັບ lasers ແຂງ. ດັ່ງນັ້ນ, ມັນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນອຸດສາຫະກໍາ, ການແພດ, ການຄົ້ນຄວ້າວິທະຍາສາດ, ການສື່ສານແລະການທະຫານ. ເຊັ່ນ: ລະດັບ laser, ຕົວຊີ້ບອກເປົ້າຫມາຍ laser, ການຊອກຄົ້ນຫາ laser, laser marking, ການປະມວນຜົນການຕັດ laser (ລວມທັງການຕັດ, ການເຈາະ, ການເຊື່ອມໂລຫະແລະ engraving, ແລະອື່ນໆ), ການປິ່ນປົວທາງການແພດ laser, ແລະຄວາມງາມ laser, ແລະອື່ນໆ.
ເລເຊີຫມາຍເຖິງການນໍາໃຊ້ສ່ວນໃຫຍ່ຂອງອະນຸພາກໃນອຸປະກອນການເຮັດວຽກຢູ່ໃນສະຖານະຕື່ນເຕັ້ນ, ແລະການນໍາໃຊ້ induction ແສງສະຫວ່າງພາຍນອກເພື່ອເຮັດໃຫ້ອະນຸພາກທັງຫມົດທີ່ຢູ່ໃນສະຖານະຕື່ນເຕັ້ນສໍາເລັດການຮັງສີກະຕຸ້ນໃນເວລາດຽວກັນ, ການຜະລິດ beam ມີອໍານາດ. Lasers ມີທິດທາງທີ່ດີຫຼາຍ, monochromaticity ແລະຄວາມສອດຄ່ອງ, ແລະໃນທັດສະນະຂອງລັກສະນະເຫຼົ່ານີ້, ມັນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນທຸກດ້ານຂອງສັງຄົມ.
ໄປເຊຍກັນເລເຊີປະກອບດ້ວຍສອງສ່ວນ, ຫນຶ່ງແມ່ນ ion activated ເປັນ "ສູນກາງ luminescence", ແລະອີກອັນຫນຶ່ງແມ່ນໄປເຊຍກັນເຈົ້າພາບເປັນ "carrier" ຂອງ ion activated ໄດ້. ທີ່ສໍາຄັນກວ່າໃນບັນດາໄປເຊຍກັນເຈົ້າພາບແມ່ນໄປເຊຍກັນອອກໄຊ. ໄປເຊຍກັນເຫຼົ່ານີ້ມີຂໍ້ໄດ້ປຽບທີ່ເປັນເອກະລັກເຊັ່ນ: ຈຸດ melting ສູງ, ຄວາມແຂງສູງແລະການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີ. ໃນບັນດາພວກມັນ, ruby ແລະ YAG ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງ, ເພາະວ່າຂໍ້ບົກພ່ອງຂອງເສັ້ນດ່າງຂອງພວກມັນສາມາດດູດເອົາແສງສະຫວ່າງທີ່ສັງເກດເຫັນໃນລະດັບຄວາມສະຫວ່າງເພື່ອສະແດງສີທີ່ແນ່ນອນ, ດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງເຮັດໃຫ້ການສັ່ນສະເທືອນຂອງເລເຊີທີ່ສາມາດປັບໄດ້.
ນອກເຫນືອໄປຈາກ lasers ໄປເຊຍກັນແບບດັ້ງເດີມ, ໄປເຊຍກັນ laser ຍັງພັດທະນາໃນສອງທິດທາງ: ultra-ໃຫຍ່ ແລະ ultra-ນ້ອຍ. lasers ໄປເຊຍກັນຂະຫນາດໃຫຍ່ທີ່ສຸດຖືກນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍໃນ laser nuclear fusion, laser isotope ແຍກ, ຕັດ laser ແລະອຸດສາຫະກໍາອື່ນໆ. ເລເຊີໄປເຊຍກັນຂະໜາດນ້ອຍສ່ວນໃຫຍ່ຫມາຍເຖິງເລເຊີ semiconductor. ມັນມີຄວາມໄດ້ປຽບຂອງປະສິດທິພາບການສູບນ້ໍາສູງ, ການໂຫຼດຄວາມຮ້ອນຂະຫນາດນ້ອຍຂອງໄປເຊຍກັນ, ຜົນຜະລິດເລເຊີທີ່ຫມັ້ນຄົງ, ຊີວິດຍາວ, ແລະຂະຫນາດຂະຫນາດນ້ອຍຂອງເລເຊີ, ສະນັ້ນມັນມີຄວາມສົດໃສດ້ານການພັດທະນາຂະຫນາດໃຫຍ່ໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກສະເພາະ.
ເວລາປະກາດ: ວັນທີ 07-07-2022