ZnGeP2 — ແສງອິນຟາເຣດບໍ່ເປັນເສັ້ນ
ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ
ເນື່ອງຈາກຄຸນສົມບັດທີ່ເປັນເອກະລັກເຫຼົ່ານີ້, ມັນເປັນທີ່ຮູ້ຈັກເປັນອຸປະກອນທີ່ໂດດເດັ່ນທີ່ສຸດສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ optical nonlinear.ZnGeP2 ສາມາດສ້າງ laser tunable ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ 3-5 μmອອກໂດຍຜ່ານເຕັກໂນໂລຊີ oscillation parametric optical (OPO).Lasers, ປະຕິບັດງານຢູ່ໃນປ່ອງຢ້ຽມສົ່ງບັນຍາກາດຂອງ 3-5 μmແມ່ນມີຄວາມສໍາຄັນຫຼາຍສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຈໍານວນຫຼາຍ, ເຊັ່ນ: ມາດຕະການຕ້ານ infrared, ການກວດສອບສານເຄມີ, ອຸປະກອນການແພດ, ແລະການຮັບຮູ້ທາງໄກ.
ພວກເຮົາສາມາດສະຫນອງຄຸນນະພາບ optical ສູງ ZnGeP2 ທີ່ມີຄ່າສໍາປະສິດການດູດຊຶມຕ່ໍາສຸດ α < 0.05 cm-1 (ຢູ່ທີ່ pump wavelengths 2.0-2.1 µm), ເຊິ່ງສາມາດນໍາໃຊ້ເພື່ອສ້າງ laser tunable ກາງອິນຟາເລດທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງໂດຍຜ່ານຂະບວນການ OPO ຫຼື OPA.
ຄວາມສາມາດຂອງພວກເຮົາ
ເຕັກໂນໂລຊີພາກສະຫນາມອຸນຫະພູມແບບໄດນາມິກໄດ້ຖືກສ້າງຂື້ນແລະນໍາໃຊ້ເພື່ອສັງເຄາະ ZnGeP2 polycrystalline.ຜ່ານເທກໂນໂລຍີນີ້, ຫຼາຍກວ່າ 500g ຄວາມບໍລິສຸດ ZnGeP2 polycrystalline ກັບເມັດພືດຂະຫນາດໃຫຍ່ໄດ້ຖືກສັງເຄາະໃນຫນຶ່ງແລ່ນ.
Horizontal Gradient Freeze method ສົມທົບກັບ Directional Necking Technology (ເຊິ່ງສາມາດຫຼຸດຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ dislocation ໄດ້ຢ່າງມີປະສິດທິພາບ) ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງສໍາເລັດຜົນກັບການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ ZnGeP2 ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ.
ZnGeP2 ຄຸນນະພາບສູງລະດັບກິໂລກຣາມທີ່ມີເສັ້ນຜ່າກາງທີ່ໃຫຍ່ທີ່ສຸດຂອງໂລກ (Φ55 ມມ) ໄດ້ຮັບການຂະຫຍາຍຕົວຢ່າງສໍາເລັດຜົນໂດຍວິທີ Vertical Gradient Freeze.
ຄວາມຫຍາບຂອງພື້ນຜິວ ແລະຄວາມຮາບພຽງຂອງອຸປະກອນຜລຶກ, ໜ້ອຍກວ່າ 5Å ແລະ 1/8λ ຕາມລຳດັບ, ໄດ້ຮັບຈາກເທັກໂນໂລຍີການບຳບັດໜ້າດິນອັນດີຂອງພວກເຮົາ.
deviation ມຸມສຸດທ້າຍຂອງອຸປະກອນໄປເຊຍກັນແມ່ນຫນ້ອຍກ່ວາ 0.1 ອົງສາເນື່ອງຈາກການນໍາໃຊ້ການປະຖົມນິເທດທີ່ຊັດເຈນແລະເຕັກນິກການຕັດທີ່ຊັດເຈນ.
ອຸປະກອນທີ່ມີປະສິດຕິພາບດີເລີດໄດ້ບັນລຸໄດ້ເນື່ອງຈາກມີຄຸນນະພາບສູງຂອງໄປເຊຍກັນແລະເຕັກໂນໂລຊີການປະມວນຜົນໄປເຊຍກັນລະດັບສູງ (The 3-5μm mid-5μm laser tunable ກາງ infrared ໄດ້ຖືກຜະລິດໂດຍປະສິດທິພາບການແປງຫຼາຍກ່ວາ 56% ເມື່ອ pumped ໂດຍແສງສະຫວ່າງ 2μm. ແຫຼ່ງ).
ກຸ່ມຄົ້ນຄ້ວາຂອງພວກເຮົາ, ໂດຍຜ່ານການຂຸດຄົ້ນຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງແລະການປະດິດສ້າງດ້ານວິຊາການ, ໄດ້ mastered ສົບຜົນສໍາເລັດເຕັກໂນໂລຊີການສັງເຄາະຂອງ polycrystalline ZnGeP2 ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ເຕັກໂນໂລຊີການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຂະຫນາດໃຫຍ່ແລະຄຸນນະພາບສູງ ZnGeP2 ແລະປະຖົມນິເທດໄປເຊຍກັນແລະເຕັກໂນໂລຊີການປະມວນຜົນຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ;ສາມາດສະຫນອງອຸປະກອນ ZnGeP2 ແລະໄປເຊຍກັນຕົ້ນສະບັບໃນຂະຫນາດມະຫາຊົນທີ່ມີຄວາມເປັນເອກະພາບສູງ, ຄ່າສໍາປະສິດການດູດຊຶມຕ່ໍາ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງທີ່ດີ, ແລະປະສິດທິພາບການແປງສູງ.ໃນເວລາດຽວກັນ, ພວກເຮົາໄດ້ສ້າງຕັ້ງຊຸດການທົດສອບການປະຕິບັດໄປເຊຍກັນທັງຫມົດທີ່ເຮັດໃຫ້ພວກເຮົາມີຄວາມສາມາດໃນການສະຫນອງການບໍລິການທົດສອບການປະຕິບັດຂອງຜລຶກໃຫ້ແກ່ລູກຄ້າ.
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
● ອັນທີສອງ, ທີສາມ, ແລະສີ່ການຜະລິດປະສົມກົມກຽວຂອງ CO2-laser
● ການຜະລິດພາຣາມິເຕີ optical ດ້ວຍການສູບນ້ໍາຢູ່ທີ່ຄວາມຍາວຄື່ນ 2.0 µm
● ການຜະລິດປະສົມກົມກຽວທີສອງຂອງ CO-laser
● ການຜະລິດລັງສີທີ່ສອດຄ່ອງກັນໃນຂອບເຂດ submillimeter ຈາກ 70.0 µm ຫາ 1000 µm
● ການສ້າງຄວາມຖີ່ຂອງການລວມກັນຂອງລັງສີ CO2- ແລະ CO-lasers ແລະເລເຊີອື່ນໆແມ່ນເຮັດວຽກຢູ່ໃນພາກພື້ນຄວາມໂປ່ງໃສຂອງໄປເຊຍກັນ.
ຄຸນສົມບັດພື້ນຖານ
| ເຄມີ | ZnGeP2 |
| Crystal Symmetry ແລະຫ້ອງຮຽນ | tetragonal, -42m |
| ຕົວກໍານົດການ Lattice | a = 5.467 Å c = 12.736 Å |
| ຄວາມຫນາແຫນ້ນ | 4.162 g/cm3 |
| ຄວາມແຂງຂອງ Mohs | 5.5 |
| Optical Class | uniaxial ໃນທາງບວກ |
| ຂອບເຂດການສົ່ງຕໍ່ທີ່ມີປະໂຫຍດ | 2.0 um - 10.0 um |
| ການນໍາຄວາມຮ້ອນ @ T= 293 ກ | 35 W/m∙K (⊥c) 36 W/m∙K (∥ c) |
| ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ @ T = 293 K ຫາ 573 K | 17.5 x 106 K-1 (⊥c) 15.9 x 106 K-1 (∥ c) |
ຕົວກໍານົດການດ້ານວິຊາການ
| ຄວາມທົນທານຕໍ່ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ | +0/-0.1 ມມ |
| ຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມຍາວ | ±0.1 ມມ |
| ຄວາມທົນທານຕໍ່ການປະຖົມນິເທດ | <30 arcmin |
| ຄຸນະພາບພື້ນຜິວ | 20-10 SD |
| ຮາບພຽງ | <λ/4@632.8 nm |
| ຂະໜານ | <30 arcsec |
| Perpendicularity | <5 arcmin |
| Chamfer | <0.1 ມມ x 45° |
| ໄລຍະຄວາມໂປ່ງໃສ | 0.75 - 12.0 ມ |
| ຕົວຄູນ Nonlinear | d36 = 68.9 pm/V (ທີ່ 10.6μm) d36 = 75.0 pm/V (ທີ່ 9.6 μm) |
| ເກນຄວາມເສຍຫາຍ | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
