ການເຊື່ອມຕໍ່ໄປເຊຍກັນ – ເຕັກໂນໂລຊີປະສົມຂອງໄປເຊຍກັນ laser
ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ
ຄວາມ ສໍາ ຄັນ ຂອງ ການ ນໍາ ໃຊ້ ຂອງ ເຕັກ ໂນ ໂລ ຊີ ພັນ ທະ ບັດ ໃນ ໄປ ເຊຍ ກັນ laser ແມ່ນ ຢູ່ ໃນ : 1.Miniaturization ແລະ ການ ເຊື່ອມ ໂຍງ ຂອງ ອຸ ປະ ກອນ laser / ລະ ບົບ ເຊັ່ນ : Nd : YAG / Cr : YAG ພັນ ທະ ບັດ ສໍາ ລັບ ການ ຜະ ລິດ ຂອງ lasers microchip ຕົວ ຕັ້ງ ຕົວ ຕີ Q ;2. ການປັບປຸງຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນຂອງເລເຊີ rods ປະສິດທິພາບເຊັ່ນ: YAG / Nd: YAG / YAG (ຊຶ່ງຫມາຍຄວາມວ່າ, ຜູກມັດກັບ YAG ບໍລິສຸດເພື່ອສ້າງອັນທີ່ເອີ້ນວ່າ "ຝາທ້າຍ" ຢູ່ໃນທັງສອງສົ້ນຂອງເລເຊີ) ສາມາດຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ. ອຸນຫະພູມເພີ່ມຂຶ້ນຂອງໃບຫນ້າສຸດທ້າຍຂອງ rod Nd:YAG ໃນເວລາທີ່ມັນເຮັດວຽກ, ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ສໍາລັບ semiconductor pumping lasers Solid-state ແລະ lasers ຂອງລັດແຂງທີ່ຕ້ອງການການດໍາເນີນງານພະລັງງານສູງ.
ຜະລິດຕະພັນຫຼັກຂອງ YAG ໃນປະຈຸບັນຂອງບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາປະກອບມີ: Nd:YAG ແລະ Cr4+: YAG ເຊືອກຜູກມັດ, Nd:YAG ຜູກມັດດ້ວຍ YAG ບໍລິສຸດທັງສອງສົ້ນ, Yb:YAG ແລະ Cr4+: YAG ເຊືອກຜູກມັດ, ແລະອື່ນໆ;ເສັ້ນຜ່າສູນກາງຈາກ Φ3 ~ 15mm, ຄວາມຍາວ (ຄວາມຫນາ) ຈາກ 0.5 ~ 120mm, ຍັງສາມາດປຸງແຕ່ງເປັນແຖບສີ່ຫລ່ຽມຫຼືແຜ່ນມົນທົນ.
Bonded crystal ແມ່ນຜະລິດຕະພັນທີ່ຜະສົມຜະສານໄປເຊຍກັນເລເຊີກັບຫນຶ່ງຫຼືສອງວັດສະດຸ substrate homogeneous ບໍລິສຸດທີ່ບໍ່ມີ doped ຜ່ານເຕັກໂນໂລຊີການຜູກມັດເພື່ອບັນລຸການປະສົມປະສານທີ່ຫມັ້ນຄົງ.ການທົດລອງສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າໄປເຊຍກັນການເຊື່ອມຕໍ່ສາມາດຫຼຸດຜ່ອນອຸນຫະພູມຂອງໄປເຊຍກັນ laser ໄດ້ຢ່າງມີປະສິດທິຜົນແລະຫຼຸດຜ່ອນອິດທິພົນຂອງຜົນກະທົບແສງຄວາມຮ້ອນທີ່ເກີດມາຈາກການປ່ຽນຮູບຂອງໃບຫນ້າທ້າຍ.
ຄຸນລັກສະນະ
● ຫຼຸດເລນກັນຄວາມຮ້ອນທີ່ເກີດຈາກການຜິດປົກກະຕິຂອງໃບໜ້າ
● ປັບປຸງປະສິດທິພາບການແປງຈາກແສງຫາແສງ
● ເພີ່ມຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ກັບລະດັບການທໍາລາຍການຖ່າຍຮູບ
● ປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງລຳແສງເລເຊີ
● ຫຼຸດຂະໜາດ
| ຮາບພຽງ | <λ/10@632.8nm |
| ຄຸນະພາບຂອງພື້ນຜິວ | 10/5 |
| ຂະໜານ | <10 ວິນາທີ |
| ລວງຕັ້ງ | <5 ນາທີ arc |
| Chamfer | 0.1mm@45° |
| ຊັ້ນເຄືອບ | ການເຄືອບ AR ຫຼື HR |
| ຄຸນນະພາບ optical | Interference fringes: ≤ 0.125/inch ຂອບ interference: ≤ 0.125/inch |
