Nd:YVO4 – Diode Pumped Solid-state Lasers
ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ
Nd:YVO4 ສາມາດຜະລິດເລເຊີ IR, ສີຂຽວ, ສີຟ້າທີ່ມີພະລັງ ແລະ ໝັ້ນຄົງດ້ວຍການອອກແບບຂອງ Nd:YVO4 ແລະຄວາມຖີ່ຂອງໄປເຊຍກັນສອງເທົ່າ.ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ການອອກແບບທີ່ຫນາແຫນ້ນກວ່າແລະຜົນຜະລິດຮູບແບບຕາມລວງຍາວແມ່ນຈໍາເປັນ, Nd:YVO4 ສະແດງໃຫ້ເຫັນຂໍ້ໄດ້ປຽບໂດຍສະເພາະຂອງມັນຫຼາຍກວ່າໄປເຊຍກັນເລເຊີອື່ນໆທີ່ໃຊ້ທົ່ວໄປ.
ຂໍ້ດີຂອງ Nd:YVO4
● ລະດັບຄວາມຊັນຕໍ່າ ແລະປະສິດທິພາບການເລື່ອນສູງ
● ຂະຫນາດໃຫຍ່ກະຕຸ້ນການປ່ອຍອາຍພິດຂ້າມພາກສ່ວນຢູ່ໃນໄລຍະເວລາ lasing
● ການດູດຊືມສູງໃນໄລຍະການດູດຊືມກວ້າງຂອງແບນວິດຄື້ນ
● optically uniaxial ແລະ birefringence ຂະຫນາດໃຫຍ່ປ່ອຍເລເຊີຂົ້ວໂລກ
● ການເພິ່ງພາອາໃສຕໍ່າຕໍ່ກັບຄວາມຍາວຄື້ນຂອງປັ໊ມ ແລະ ມີແນວໂນ້ມທີ່ຈະຜົນຜະລິດຮູບແບບດຽວ
ຄຸນສົມບັດພື້ນຖານ
| ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງປະລໍາມະນູ | ~1.37x1020 ອະຕອມ/ຊມ2 |
| ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ | Zircon Tetragonal, ກຸ່ມອະວະກາດ D4h, a=b=7.118, c=6.293 |
| ຄວາມຫນາແຫນ້ນ | 4.22 g/cm2 |
| ຄວາມແຂງຂອງ Mohs | ແກ້ວຄ້າຍຄື, 4.6 ~ 5 |
| ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ ຄ່າສໍາປະສິດ | αa=4.43x10-6/K,αc=11.37x10-6/K |
| ຈຸດລະລາຍ | 1810 ± 25 ℃ |
| Lasing Wavelengths | 914nm, 1064 nm, 1342 nm |
| Optical ຄວາມຮ້ອນ ຄ່າສໍາປະສິດ | dna/dT=8.5x10-6/K, dnc/dT=3.0x10-6/K |
| ການປ່ອຍອາຍພິດທີ່ກະຕຸ້ນ ພາກກາງ | 25.0x10-19 cm2 , @1064 nm |
| fluorescent ຕະຫຼອດຊີວິດ | 90 ms (ປະມານ 50 ms ສໍາລັບ 2 atm% Nd doped) @ 808 nm |
| ຄ່າສໍາປະສິດການດູດຊຶມ | 31.4 cm-1 @ 808 nm |
| ຄວາມຍາວການດູດຊຶມ | 0.32 mm @ 808 nm |
| ການສູນເສຍພາຍໃນ | ຫນ້ອຍ 0.1% cm-1 , @1064 nm |
| ໄດ້ຮັບແບນວິດ | 0.96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
| ເລເຊີ Polarized ການປ່ອຍອາຍພິດ | ຂະຫນານກັບແກນ optic (c-axis) |
| Diode Pumped Optical ກັບ Optical ປະສິດທິພາບ | > 60% |
| ສົມຜົນ Sellmeier (ສຳລັບຜລຶກ YVO4 ບໍລິສຸດ) | no2(λ) =3.77834+0.069736/(λ2 - 0.04724) - 0.0108133λ2 |
| no2(λ) =4.59905+0.110534/(λ2 - 0.04813) - 0.0122676λ2 |
ຕົວກໍານົດການດ້ານວິຊາການ
| nd dopant ຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນ | 0.2 ~ 3 atm% |
| ຄວາມທົນທານ dopant | ພາຍໃນ 10% ຂອງຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນ |
| ຄວາມຍາວ | 0.02 ~ 20mm |
| ຂໍ້ກໍາຫນົດການເຄືອບ | AR @ 1064nm, R< 0.1% & HT @ 808nm, T>95% |
| HR @ 1064nm, R>99.8% & HT@808nm, T>9% | |
| HR @ 1064nm, R>99.8%, HR @ 532 nm, R>99% & HT @ 808 nm, T>95% | |
| ປະຖົມນິເທດ | ທິດທາງໄປເຊຍກັນຕັດ (+/-5 ℃) |
| ຄວາມທົນທານຂອງມິຕິລະດັບ | +/-0.1mm (ປົກກະຕິ), ຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ +/-0.005mm ສາມາດໃຊ້ໄດ້ຕາມການຮ້ອງຂໍ. |
| ການບິດເບືອນຂອງຄື້ນ | <λ/8 ທີ່ 633nm |
| ດ້ານຄຸນນະພາບ | ດີກ່ວາ 20/10 ຂູດ/ຂຸດຕໍ່ MIL-O-1380A |
| ຂະໜານ | < 10 arc ວິນາທີ |
ຂຽນຂໍ້ຄວາມຂອງທ່ານທີ່ນີ້ແລະສົ່ງໃຫ້ພວກເຮົາ
