Yb：YAG–1030 Nm Laser Crystal Promising Laser-active material
ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ
Yb:YAG crystals ຄາດວ່າຈະທົດແທນ Nd:YAG crystals ສໍາລັບ lasers diode-pumped ພະລັງງານສູງແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີທ່າແຮງອື່ນໆ.
Yb:YAG ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄໍາສັນຍາທີ່ຍິ່ງໃຫຍ່ເປັນອຸປະກອນ laser ພະລັງງານສູງ.ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຈໍານວນຫນຶ່ງແມ່ນໄດ້ຖືກພັດທະນາໃນພາກສະຫນາມຂອງ lasers ອຸດສາຫະກໍາ, ເຊັ່ນ: ການຕັດໂລຫະແລະການເຊື່ອມໂລຫະ.ດ້ວຍ Yb:YAG ຄຸນນະພາບສູງທີ່ມີຢູ່ໃນປັດຈຸບັນ, ພາກສະຫນາມແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເພີ່ມເຕີມແມ່ນໄດ້ຮັບການຄົ້ນຫາ.
ຂໍ້ດີຂອງ Yb:YAG Crystal
● ການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນສ່ວນໜ້ອຍຫຼາຍ, ໜ້ອຍກວ່າ 11%
● ປະສິດທິພາບຄວາມຊັນສູງຫຼາຍ
● ແຖບດູດຊຶມກວ້າງ, ປະມານ 8nm@940nm
● ບໍ່ມີການດູດຊຶມລັດຕື່ນເຕັ້ນຫຼືການປ່ຽນແປງສູງຂຶ້ນ
● ສູບໄດ້ສະດວກໂດຍ diodes InGaAs ທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ຢູ່ທີ່ 940nm (ຫຼື 970nm)
●ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງແລະຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກຂະຫນາດໃຫຍ່
●ຄຸນນະພາບ optical ສູງ
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
ດ້ວຍແຖບປັ໊ມກວ້າງແລະສ່ວນຂ້າມການປ່ອຍອາຍພິດທີ່ດີເລີດ Yb:YAG ເປັນໄປເຊຍກັນທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການສູບ diode.
ພະລັງງານຜົນຜະລິດສູງ 1.029 1mm
ວັດສະດຸ Laser ສໍາລັບ Diode Pumping
ການປຸງແຕ່ງວັດສະດຸ, ການເຊື່ອມໂລຫະແລະການຕັດ
ຄຸນສົມບັດພື້ນຖານ
| ສູດເຄມີ | Y3Al5O12:Yb (0.1% ຫາ 15% Yb) |
| ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ | ກ້ອນ |
| ຄວາມຍາວຄື້ນຜົນຜະລິດ | 1.029 ນ |
| ການປະຕິບັດດ້ວຍເລເຊີ | ເລເຊີ 3 ລະດັບ |
| ຕະຫຼອດຊີວິດການປ່ອຍອາຍພິດ | 951 ພວກເຮົາ |
| ດັດຊະນີສະທ້ອນແສງ | 1.8 @ 632 nm |
| ແຖບດູດຊຶມ | 930 nm ຫາ 945 nm |
| Pump wavelength | 940 nm |
| ແຖບດູດຊຶມກ່ຽວກັບຄວາມຍາວຂອງປັ໊ມ | 10 ນມ |
| ຈຸດລະລາຍ | 1970°C |
| ຄວາມຫນາແຫນ້ນ | 4.56 g/cm3 |
| ຄວາມແຂງຂອງ Mohs | 8.5 |
| ຄົງທີ່ຂອງເສັ້ນດ່າງ | 12.01Ä |
| ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ | 7.8x10-6 /K , [111], 0-250°C |
| ການນໍາຄວາມຮ້ອນ | 14 Ws/m/K @ 20°C |
ຕົວກໍານົດການດ້ານວິຊາການ
| ຊື່ຜະລິດຕະພັນ | Yb:YAG |
| ປະຖົມນິເທດ | ພາຍໃນ 5° |
| ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ | 3 ມມ ຫາ 10 ມມ |
| ຄວາມທົນທານຕໍ່ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ | +0.0 ມມ/- 0.05 ມມ |
| ຄວາມຍາວ | 30 ມມ ຫາ 150 ມມ |
| ຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມຍາວ | ± 0.75 ມມ |
| Perpendicularity ຂອງ End Faces | 5 ນາທີ arc |
| Parallelism ຂອງ End Faces | 10 arc-ວິນາທີ |
| ຮາບພຽງ | ສູງສຸດ 0.1 ຄື້ນ |
| ສໍາເລັດຮູບຢູ່ 5X | 20-10 (ຂູດ ແລະ ຂຸດ) |
| ສໍາເລັດຮູບຖັງ | 400 ເມັດ |
| ປາຍໃບໜ້າ Bevel | 0.075 ມມ ຫາ 0.12 ມມ ຢູ່ມຸມ 45° |
| ຊິບ | ບໍ່ມີຊິບທີ່ອະນຸຍາດໃຫ້ຢູ່ເທິງໃບຫນ້າປາຍຂອງ rod;chip ທີ່ມີຄວາມຍາວສູງສຸດ 0.3 mm ອະນຸຍາດໃຫ້ນອນຢູ່ໃນພື້ນທີ່ຂອງ bevel ແລະຫນ້າຖັງໄດ້. |
| ຮູຮັບແສງທີ່ຊັດເຈນ | ພາກກາງ 95% |
| ການເຄືອບ | ການເຄືອບມາດຕະຖານແມ່ນ AR ທີ່ 1.029 um ກັບ R<0.25% ແຕ່ລະໃບຫນ້າ.ການເຄືອບອື່ນໆທີ່ມີຢູ່. |
